技术编号:11289734
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及AlGaN基深紫外LED技术。背景技术近年来,发光波长为265nm附近的深紫外LED作为杀菌、净水用途而受到关注。图22是表示一般的现有的深紫外LED的结构的一个例子的剖视图。在图22所示的LED中,由量子阱层5发出的光通过势垒层4、n型AlGaN层3、AlN缓冲层2以及蓝宝石基板1而向上部方向(空气中)射出。此时,根据斯涅尔定律,因n型AlGaN层3、AlN缓冲层2、蓝宝石基板1、空气之间的折射率差而使得一部分光发生内部全反射并朝向Al(或者Au)反射电极层11的方向,几乎被p型Ga...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。