技术编号:11289779
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。具有霍尔效应以及各向异性磁阻(AMR)传感器的集成电路相关申请的交叉参考参考以下美国申请:于2015年11月4日提交的题为“CONSTRUCTIONOFAHALL-EFFECTSENSORINANISOLATIONREGION”的美国专利申请14/932,949;以及于2016年2月11日提交的题为“INTEGRATEDANISOTROPICMAGNETORESISTIVEDEVICE”的美国专利申请15/041,575,这些申请的全部内容通过引用并入本文。技术领域本公开一般涉及集成电路(IC)...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。