技术编号:11289931
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及发光二极管领域,特别涉及一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法。背景技术以氮化镓为代表的半导体发光二极管,因具有禁带宽度大、高电子饱和电子漂移速度、耐高温、大功率容量等优良特性。现有的氮化镓基发光二极管外延层的制备方法主要是在基底上进行外延材料生长。现有的氮化镓基外延主要是异质外延,其衬底材料与外延材料不同,通常具有晶格失配度大的问题,难以生长出高质量的外延层。目前主要采用的方法是首先在基底上用低温低压的方法形成三维岛状结构的晶粒,即缓冲层,然后在缓冲层晶粒上面生长包括无掺杂GaN层...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。