技术编号：11290185
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及锂离子电池领域，更具体的说，本发明涉及一种负极活性材料及其制备方法以及二次电池。背景技术随着电子设备便携式和小型化的发展，目前被广泛使用于商业化的石墨的质量比容量已经被发挥至极限，因本征的局限，已无法满足未来对高能量密度电子设备的需求。正是基于此背景，人们将目光转入高储锂的含硅材料上。纯硅的理论克容量高达3700mAh/g，约为石墨的十倍，然而，纯硅致命的弱点就是在脱嵌锂过程中，体积变化也随之高达300％以上，这大大影响了纯硅本身的稳定性，以及由其制成的电池的可用性，严重影响了使其商业...
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