技术编号:11290949
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及IGBT电力半导体器件领域,尤其涉及一种综合保护电路、综合保护装置及塑封装置。背景技术目前IGBT电力半导体器件失效、损坏主要形式有过温、过流和短路。造成IGBT电力半导体器件过温损坏的是器件的热疲劳现象,原因有散热设计不当,驱动电路设计不合理,外界负载发生的变化等。形成IGBT电力半导体器件过流、短路损坏的原因是负载绝缘不良,外界杂物引起的桥路短路和感性负载发生的关断峰值电压等。以上的失效损坏形式已经包含了IGBT电力半导体器件的95%以上的失效损坏范围。特别需要注意的是IGBT电力...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。