技术编号:11292872
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及离子束流轰击装置技术领域,具体涉及一种氚靶装置。背景技术氘氚聚变中子发生器是利用高速氘离子束轰击氚靶发生氘氚聚变反应,形成氦原子并释放出中子。氚靶是中子发生器中的重要部件。其一般以热导率较高的铜或其合金为基体,厚度一般为几mm(毫米),其表面镀有吸附有氚的钛膜,厚度一般为几μm(微米)。高速氘离子束正是与钛膜中的氚原子发生反应,产生中子。反应时产生的热量沉积于靶片中,再通过靶片背部的冷却流体带走。由于束流轰击时的热流密度最高可达几十kW/cm2(千瓦每平方厘米),若不能及时散出,将会引...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。