技术编号:11292938
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光催化剂技术领域,尤其涉及一种复合光催化剂及其制备方法。背景技术二氧化钛作为半导体催化剂由于其能吸收太阳光降解污染物,光解水且无毒稳定等优势而得到广泛应用。二维二氧化钛纳米片半导体材料由于其具有高的比表面积、单原子层或几个原子层量级的薄片厚度,能够引起较多的内部原子暴露,形成大量的表面缺陷,成为催化过程中的活性位点,有利于大大提高光催化性能。但是,单相二氧化钛二维纳米片材料由于其电子空穴对复合较为严重,其光催化产氢性能仍不理想。近年来,人们在金属/二氧化钛及金属氧化物/二氧化钛异质结的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。