技术编号:11293552
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。硅薄膜的电导率测量方法、缺陷检测方法及缺陷检测设备相关申请交叉引用本申请要求2012年4月9日向韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2012-0036843的优先权,通过引用将其全部内容合并于此。技术领域示例实施例大体上涉及硅薄膜测量技术。更具体地,本发明的各实施例涉及测量硅薄膜的电导率的方法,检测硅薄膜中的缺陷的方法以及硅薄膜缺陷检测设备。背景技术通常,利用用于测量自由载流子寿命的方法来检查薄膜的质量。根据射频(RF)波反射技术,自由载流子寿命是基于照射到薄膜上的RF波返回...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。