技术编号:11299866
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及石墨基座技术领域,特别是涉及一种适用于所有用于蓝绿光LED外延片外延生长的MOCVD反应室的SiC涂层石墨基座。背景技术LED外延片是指在一块加热至适当温度的衬底基片上所生长出的特定单晶薄膜。外延片处于LED产业链中的上游环节,是半导体照明产业技术含量最高、对最终产品品质、成本控制影响最大的环节。近年来,用于LED外延片生产的新机台层出不穷,其中CRIUSIIXLD5304"-19P机台在广大外延厂得到了广泛的应用。CRIUSIIXLD5304"-19P机台主要用于生长蓝绿光LED...
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