技术编号：11318168
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微机电领域，涉及硅基ScAlN薄膜GHz谐振器及其制备方法。背景技术氮化铝压电薄膜具有高声速、耐高温、性能稳定等优点，尤其与CMOS工艺的特性兼容，使其受到国内外广泛关注。硅基AlN-MEMS压电器件可被广泛应用于传感器、谐振器及能量收集器等领域。硅基AlN薄膜用于部分传感器、谐振器及能量收集器等领域时，存在机电耦合系数不高及准静态D33压电系数低等不足。如基于布拉格反射层或空气腔型的体声波(BAW)器件，由于布拉格反射层均匀性的限制及AlN薄膜高声速的特点，会使声波在反射层底层传播中...
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