技术编号:11320140
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及电力器件技术领域,特别是涉及复合衬底及外延片及电力器件。背景技术目前电力器件的衬底多采用硅(Si)衬底,也有采用碳化硅(SiC)衬底、或GaN衬底。硅衬底,其优点是尺寸大、成本低、易加工,且具有良好的导热性。然而,硅衬底的缺点是,硅为窄禁带宽度材料,不合适高温工作;同时其电子迁移率较低。碳化硅衬底,其禁带宽度大于硅,同时电子迁移率也大于硅。但是碳化硅衬底的成本较高。GaN衬底,其禁带宽度比碳化硅还大,可以在200℃下正常工作,同时电子迁移率也优于碳化硅。然而GaN衬底成本非常高,不...
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