技术编号:11320201
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型实施例涉及半导体发光器件技术领域,尤其涉及一种GaN基发光二极管外延结构。背景技术发光二极管作为固态光源以其高亮度、长寿命、节能环保以及体积小等优点成为国际半导体和照明领域研发与产业关注的焦点。发光二极管结构的内量子效率对其亮度和发光效率有着决定性的影响,因此,发光二极管外延片要提高发光料率,最根本的办法就是要提高外延结构的内量子效率。在发光二极管中,电子是多数载流子,有效质量小,迁移率高,空穴是少数载流子,有效质量大,迁移率低,空穴与电子在有源区发生复合的效率为发光二极管发光的内量子...
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