技术编号:11322187
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。集成电路本分案申请是基于申请号为201620842286.2,申请日为2016年8月5日,发明名称为“集成电路”的中国专利申请的分案申请。技术领域本公开通常涉及集成电路,并且更特别地涉及控制反向串联开关的集成电路。背景技术晶体管,并且具体地讲,金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),提供许多期望的开关特性。然而,它们的一些特性可能使其在某些情况下的使用存在问题。例如,MOSFET的制造工艺在p型和n型硅之间产生内部结,从而产生必须考虑的寄生二极管。正常情况下,通过将MOSFET端子中的一个...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。