技术编号:11325556
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于纳电子学技术领域,具体涉及一种基于二维材料/半导体异质结的垂直隧穿场效应晶体管及其制备方法。背景技术随着传统MOSFET特征尺寸的减小,集成度的提高,器件的工作电压和阈值电压逐渐降低。随之而来的短沟道效应更加明显,漏致势垒降低和源-漏带带隧穿会引起器件的泄漏电流和功耗增大。另外,由于MOSFET热发射的电流机制,其亚阈值斜率受热电势的限制,存在理论极限60mV/dec,且无法随着器件尺寸的减小而降低,因此导致器件的泄漏电流进一步增大,功耗问题加剧。目前,功耗问题已经是小尺寸逻辑器件设计...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。