技术编号：11325574
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种基于量子阱结构的光开关器件。背景技术光电导开关是基于半导体材料的光电子器件，用光照射半电导材料，在其内部产生光生载流子，电阻率下降而使器件导通；无光照时，器件截止。光电导开关可用于电信号的高速采样、开关以及毫米波和太赫兹波的产生和探测等方面。常用的半导体光电导材料包括低温生长的砷化镓、硒化镉、铟化磷、无定形硅等。常规的基于半导体材料的光电导开关，为了减小光开关的开关时间，常用低温生长、掺杂、粒子束轰击等技术在半导体内部产生缺陷，从而减小载流子的寿命。这些方法...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。