技术编号:11331917
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及能够得到强漏磁通的导磁率低、使用效率高的Ni系合金溅射靶材。背景技术近年来,垂直磁记录的进步显著,为了驱动器的大容量化,磁记录介质的记录高密度化推进,利用以前普及的面内磁记录介质,能够实现更高的记录密度的垂直磁记录方式得到实用化。在此,所谓垂直磁记录方式,就是在垂直磁记录介质的磁性膜中,使易磁化轴相对于介质面沿垂直方向取向而形成,是适于高记录密度的方法。而且,在垂直磁记录方式中,开发出具有提高了记录密度的磁记录膜相和软磁性膜相的记录介质,在这样的介质构造中,开发出在软磁性层与磁记录层之...
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