技术编号：11333823
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及集成电路芯片制造领域，尤其涉及钨化学沉积内腔等离子清洁终点控制器增益自动调节装置。背景技术在集成电路芯片制造领域，金属钨是集成电路芯片制造中用于填孔的主要金属材料。目前在集成电路工艺中，对金属钨多采用化学沉积等方法在晶圆上填孔并形成薄膜。因此应用此技术生产的设备称之为钨化学气相沉积（WCVD）设备。在具体的化学沉积应用中,当每一片晶圆镀完钨膜后,腔体的内壁也会有钨膜沉积，沉积在内壁上的钨膜与腔体内壁的粘合度并不牢靠，如不及时清理，会在后续的晶圆上产生颗粒，严重影响集成电路的成品率。...
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