技术编号：11334387
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及功率电子学领域，以及更具体来说涉及根据独立权利要求1所述的用于制造绝缘栅功率半导体装置的方法或者涉及同样根据独立权利要求8的导言所述的装置。背景技术图1中示出如从EP0795911A2已知的现有技术绝缘栅双极晶体管(IGBT)。现有技术装置包括有源单元，其中不同导电类型的层按照下列顺序处于发射极侧22上的发射极电极2和与发射极侧22相对的集电极侧27上的集电极电极25之间：(n+)掺杂源极层3、p掺杂基极层4(其接触发射极电极25)、n掺杂增强层95、(n-)掺杂漂移层5、(n+)掺杂...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。