技术编号:11334409
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。背景技术现有正在推进绝缘栅型双极晶体管(IGBT)、续流二极管(FWD)等600V、1200V、1700V耐压等级的电力用半导体装置的特性改善。电力用半导体装置用于具有省电性和高效率性的逆变器等电力转换装置,对于电机控制是不可或缺的。对于在这样的用途中使用的电力用半导体装置而言,低损耗(省电)化、高速高效率化和有利于地球环境的各种特性受到市场急速需求。作为制造满足这样的要求的电力用半导体装置的方法,提出了制造低成本且低导通电压等电损耗低的IGBT的方法...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。