技术编号：11334439
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。后述的实施方式大体上是涉及氮化硅电路基板以及使用了该氮化硅电路基板的半导体模块。背景技术近年来，伴随着机器人、电机等工业设备的高性能化，正在推进大功率、高效率逆变器等大功率模块的开发。随着该大功率模块的实用化，由半导体器件产生的热也在不断增加。为了使该热高效地散发，就大功率模块采用了各种方法。最近，正在使用金属板与陶瓷基板的两面接合而成的陶瓷电路基板。作为陶瓷电路基板，开发了WO2007/105361号公报(专利文献1)、日本特开2010-118682号公报(专利文献2)所述那样的电路基板。专利...
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