技术编号:11334466
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体存储装置,例如,一种优选适用于反熔丝存储器以矩阵状配置的半导体存储装置的半导体存储装置。背景技术现有技术中,作为通过破坏绝缘膜来可进行一次性数据写入的反熔丝存储器,周知的有具有如美国专利第6,667,902号的说明书(专利文献1)中所示的结构的反熔丝存储器。该专利文献1中所示的反熔丝存储器具有在阱上并列地形成开关晶体管和存储器电容的双晶体管结构。实际上,具有晶体管结构的开关晶体管中,在阱上夹着开关栅绝缘膜形成有开关栅极,在开关栅极上连接有字线,且在形成于阱表面的一个扩散区域连...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。