技术编号：11334492
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及功率电子器件的领域，且更具体而言涉及一种根据权利要求1的前序部分的用于制造结势垒肖特基二极管的方法。背景技术碳化硅(SiC)代表有前景的半导体材料，其允许比已知硅装置更高功率的装置和更高频率的应用。然而，需要不同的制造过程以用于在碳化硅基底中产生掺杂层和用于形成电接触。现有技术的结势垒肖特基(JBS)二极管包括阴极电极，以下的层布置在其上：n掺杂的阴极层、较低n-掺杂的漂移层、较高p+掺杂的阳极层。所有掺杂层形成为掺杂的碳化硅层。阳极层与阳极电极接触，其因此与阳极层形成欧姆接触。阳极电...
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