技术编号：11334945
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体设备技术领域，特别是涉及一种降低颗粒污染的离子注入机。背景技术随着集成电路工艺制成与集成化的提高，在离子注入过程中对particle(污染颗粒)的管控显得更为重要。在离子注入过程中，particle的大部分来源于磁分析器(AMU)筛选离子的过程中，如图1所示，为现有技术磁分析器中产生污染颗粒的示意图，被过滤掉的离子束A&B撞击到磁分析器腔体内的石墨壁上产生的particle，该particle的一部分会随着离子束C带到靶室晶圆表面，造成晶圆污染。离子束(Beam)经过...
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