技术编号：11360017
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种化学机械研磨装置，更为具体地，涉及一种化学机械研磨装置，所述化学机械研磨装置在将基板以垂直的形式配置的状态下，可清除残留于基板的异物。背景技术半导体元件由微细的电路线高度密集地制造而成，因此，晶元表面必须进行相应的精密研磨。为了对晶元进行更加精细化的研磨，进行机械研磨及化学研磨并行的化学机械研磨工艺(CMP工艺)。化学机械研磨(CMP)工艺是一种为了实现全面平坦化与由用于形成电路的接触(contact)/布线膜分离以及高度集成的元件化而产生的晶元表面粗糙度的改善等而对晶元的表面...
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