技术编号:11372004
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及碳化硅生产设备技术领域,具体涉及一种带有热反射屏的坩埚。背景技术现有的液相法生长碳化硅晶体技术,都是通过加热的方式将硅在高纯石墨坩埚中融化,形成碳在硅中的溶液,再将头部贴付有籽晶的石墨轴伸入到溶液中进行生长;为了使上述反应有一个稳定的温度条件,可以在坩埚内设置热反射屏,这样可以将向外辐射的热量反射回熔融体系中,降低反应的能耗,但是现有技术中的热反射屏需要在坩埚内设置对应的支架才能实现,但是该支架必须在制备时与坩埚置为一体,这样就无法实现位置的可调,这就导致了在不同的晶体生长调节下,...
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