技术编号:11372016
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及SiC生产技术领域,具体为一种石墨平台可滚动式的SiC生长坩埚平台。背景技术人造SiC通常是在坩埚中进行生产的,坩埚是通过石墨平台进行支撑的,石墨平台起到均热作用,在SiC生长过程中,需要对坩埚进行加热,但是一般的SiC生长坩埚都是直接在坩埚上通电使之加热,这种加热方式容易使坩埚能够在短时间内温度骤升,使得坩埚内的温度难以控制。另外,石墨平台一般地是放置在不锈钢底座上,石墨平台由于反复地进行加热或冷却过程,会出现破损的情况;且不锈钢底座也会日积月累地受到侵蚀,因此需要更换石墨平台或不锈...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。