技术编号：11372021
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及碳化硅生产技术领域，具体为一种温度可控的碳化硅生长坩埚平台。背景技术人造碳化硅通常是在坩埚中进行生产的，坩埚是通过石墨平台进行支撑的，石墨平台起到均热作用，在碳化硅生长过程中，需要对坩埚进行加热，但是一般的碳化硅生长坩埚都是直接在坩埚上通电使之加热，这种加热方式容易使坩埚能够在短时间内温度骤升，使得坩埚内的温度难以控制。另外，当加热结束后，由于石墨平台依然处于温度较高的状态，难以使得坩埚内的温度在短时间内降下来，这也造成了碳化硅生长过程中的温度难控问题。基于上述问题，设计发明一种新型的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。