技术编号:11372033
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种晶体生长装置,具体地说是一种光作用的晶体生长装置。背景技术氮化镓(GaN)由于其禁带宽度大、化学性质稳定、耐高温、迁移率高等优点,在光电与功率微波器件方面得到了广泛的应用。目前,GaN晶体的生长方法包括有机金属化学气相沉积法(MOCVD)、氢化物气相外延法(HVPE)、氨热法(AmmothermalGrowth)以及钠流法(NaFlux),其中钠流法生长GaN晶体具备较好的晶体质量和较快的生长速率,成为首选的生长方法之一。在钠流法中,反应釜内的氮气,在高温高压的条件下溶解于坩埚...
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