技术编号:11380851
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及功能陶瓷制备技术领域,特别涉及一种高密度ITO靶材的制备方法。背景技术ITO薄膜可由ITO靶材经磁控溅射法制备得到,在工业生产中,大多采用磁控溅射法,将ITO靶材在玻璃上溅射成极薄的一层透明导电膜(厚度100nm左右),对薄膜进行刻蚀,以制备平板显示器用的电极材料。要制备出高品质的ITO膜,须采用均匀性好且密度高的ITO靶。这是因为低密度靶内有许多孔洞,孔洞内的不确定元素在溅射过程中也进入到ITO膜,从而影响ITO膜导电性能。另外低密度ITO靶面在溅射过程中容易产生一些黑化的低价氧化物...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。