技术编号:11381016
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及单晶的制造方法和制造装置,特别地,涉及在基于Czochralski法(以下称为“CZ法”)的硅单晶的提拉工序中测量其晶体直径的方法、以及采用其的单晶制造装置。背景技术成为半导体设备的基板材料的硅单晶大多通过CZ法来制造。CZ法中,将籽晶浸渍在容纳于石英坩埚内的硅融液中,在使籽晶和坩埚旋转的同时缓慢提拉籽晶,由此在籽晶的下端生长出大直径的单晶。为了切实地从一根硅单晶获得规定直径的硅片,重要的是抑制硅单晶的直径变动。为了将硅单晶的直径控制为恒定,需要在提拉过程中测量单晶的直径,并基于测量结...
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