技术编号：11381018
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于材料领域。具体涉及一种N掺杂CrO2外延薄膜及其制备方法。背景技术近年来，自旋电子学是国际凝聚态物理和材料科学关注的焦点之一，引起了人们的广泛的注意。作为最简单的铁磁性半金属氧化物CrO2是传统的磁记录材料，CrO2经实验证实具有接近100%的自旋极化率,而且CrO2的居里温度高达396K。因此，CrO2被认为是极具开发潜力的、理想的自旋电子器件的电极材料之一。CrO2虽然是一种磁性能良好且应用广泛的磁性材料，但常温下处于亚稳态，热稳定性差。目前最常用的是在O2的氛围下制备CrO2，但...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。