技术编号:11383884
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微惯性导航技术领域,涉及一种用于测量位移的传感器,特别是涉及一种利用隧道磁阻效应测量位移的传感器装置。背景技术微机械位移传感器常用的检测方式包括压阻式、电容式、压电式和隧道效应式等。压阻式是基于高掺杂硅的压阻效应原理实现的,高掺杂硅形成的压敏器件对温度有较强的依赖性,其由压敏器件组成的电桥检测电路会因温度变化引起灵敏度漂移。电容式精度的提高依赖于电容面积的增大,但由于器件的微小型化,其精度因有效电容面积的缩小而难以提高。压电效应传感器灵敏度易漂移,需经常校正,归零慢,不宜连续测试。隧道...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。