基于隧道磁阻效应的单轴微机械位移传感器的制造方法与工艺技术资料下载

技术编号:11383884

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本发明属于微惯性导航技术领域,涉及一种用于测量位移的传感器,特别是涉及一种利用隧道磁阻效应测量位移的传感器装置。背景技术微机械位移传感器常用的检测方式包括压阻式、电容式、压电式和隧道效应式等。压阻式是基于高掺杂硅的压阻效应原理实现的,高掺杂硅形成的压敏器件对温度有较强的依赖性,其由压敏器件组成的电桥检测电路会因温度变化引起灵敏度漂移。电容式精度的提高依赖于电容面积的增大,但由于器件的微小型化,其精度因有效电容面积的缩小而难以提高。压电效应传感器灵敏度易漂移,需经常校正,归零慢,不宜连续测试。隧道...
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