技术编号：11387913
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及包括超小型发光二极管(LED)元件的显示装置，更加详细地，涉及包括纳米单位的超小型发光二极管元件的发光二极管显示装置及其制造方法。背景技术1992年，日本日亚公司的中村等人通过适用低温的氮化镓(GaN)化合物缓冲层来在融合优质的单晶氮化镓氮化物半导体方面获得了成功，从而使发光二极管的开发活跃进行。发光二极管具有多个载流子为电子的n型半导体结晶与多个载流子为空穴的p型半导体结晶利用半导体的特性相接合的结构的半导体，具有所述结构的发光二极管为通过使电信号变换为具有所需区域的波长范围的光来呈...
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