技术编号:11388093
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制作技术领域,更具体的说,涉及一种控制方法、射频功率分配器以及ICP设备。背景技术随着微电子机械器件和微电子机械系统(MicroElectromechanicalSystem,简称MEMS)被越来越广泛的应用于汽车和电费电子等领域,硅通孔(ThroughSiliconVia,简称TSV)刻蚀技术在未来封装领域具有广阔前景,深硅刻蚀工艺逐渐成为MEMS制造领域和TSV技术中最炙手可热的工艺之一。电感耦合等离子体(ICP)设备是一种MEMS制造领域和TSV技术中的常用设备,ICP...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。