技术编号:11388096
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体外延晶片和其制造方法以及固体摄像元件的制造方法。背景技术在半导体晶片上形成有外延层的半导体外延晶片被用作用于制造MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)、DRAM(DynamicRandomAccessMemory,动态随机存取存储器)、功率晶体管和背面照射型固体摄像元件等各种半导体器件的器件基板。在此,作为使半导体器件的特性劣化的主要原因,可举出金属污染。例如,在背面照射型固体摄...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。