技术编号:11388098
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体衬底材料制备领域,尤其涉及一种激光剥离制备大尺寸氮化物自支撑衬底的方法。背景技术二十世纪末,为了实现高频、宽带宽、高效率及大功率等优异性能器件的制备,以氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体材料加快了发展进程。目前,大尺寸氮化镓自支撑衬底的制备是前进道路上最大的障碍之一。其制备工艺,通常在蓝宝石衬底上异质外延氮化镓膜,然后采用激光剥离技术(LaserLift-offTechnique)使得氮化镓膜与蓝宝石分离,从而得到自支撑氮化镓衬底。由于氮化镓在蓝宝石上异质外延过程中,存在较大的晶格...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。