技术编号：11388102
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工艺领域，特别涉及一种氮化物阻挡层去除方法。背景技术现有的SONOS(SiliconOxideNitrideOxideSilicon)工艺中，ONO(OxideNitrideOxide)层01作为存储介质层，位于栅极层02的下方，栅极层02上方的氮化物阻挡层03则作为后续浅沟道离子注入的栅极阻挡层，栅极蚀刻及浅沟道离子注入后，栅极层02上方的氮化物必须要去除，现有技术中去除方法如图1所示。请参照图1，由于在氮化物去除工艺中必须要使用到大量的磷酸以保证氮化物能充分去除，所以栅极层0...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。