技术编号:11388187
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造领域,特别是涉及一种半导体晶体管结构及其制备方法。背景技术随着集成电路技术的快速发展,集成电路中器件的密集度越来越高,半导体器件的特征尺寸不断减小,特别是有效栅长(effectivegatelength)的缩短,短沟道效应(Short-channeleffects)导致的漏电问题、热载流子效应(Hotcarriereffect)等问题,对器件可靠性提出了挑战。专利公开号为CN101248528B的一篇专利文献,名为存储器上的侧壁隔离件,公开了一种在存储器件上制造侧壁间隔件(...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。