技术编号：11388189
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、显示基板。背景技术薄膜晶体管(英文：ThinFilmTransistor；简称：TFT)包括依次层叠设置在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源漏极和绝缘层等层级结构，其中，源漏极包括源极和漏极。采用相关技术在制造薄膜晶体管时，在形成有源层后，还要在形成有有源层的衬底基板上形成一整层的金属膜层，然后采用湿法刻蚀工艺对该整层的金属膜层进行刻蚀，以形成具有一定图案的源漏极。刻蚀过程中，与刻蚀液接触的有源层部分容易被腐蚀，导致有源层中的导电沟...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。