技术编号:11408588
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及发光二极管技术领域,尤其是指一种具有防扩层的发光二极管及其制造方法。背景技术现有技术中,高亮发光二极管一般都采用多重量子阱(multiplequantumwell)结构作为有源层,电子和空穴在量子阱里复合并以光的形式释放出能量,其内量子效率达到较高水平。然而,从量子阱中发出的光有一部分会被衬底直接吸收,一部分在发光二极管与空气或封装材料所形成的全反射界面处被反射,无法传导出来直至在内部被吸收,所以外量子效率仍然较低。因此,设计成倒置结构的发光二极管,通过增加金属反射镜可以较好地反射光,...
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