技术编号:11409863
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及一种鳍片型场效应晶体管装置及其制造方法。背景技术由于半导体装置的栅极宽度和沟道长度持续缩小,所以已经研发出非平面或三维场效应晶体管结构,例如,具有升高的垂直鳍片的鳍片型场效应晶体管(fin-typefieldeffecttransistor,FinFET)以提高晶体管的操作速度。升高的和狭窄的鳍片能够使晶片区域被更有效使用,不过也导致具有高纵横比的场效应晶体管。发明内容本发明的实施例提供一种鳍片型场效应晶体管(FinFET)装置。鳍片型场效应晶体管装置包括衬底、至少一个栅极堆叠结...
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