技术编号：11409908
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于衬底制备技术领域，特别涉及一种正四角形图形化衬底。背景技术氮化镓（GaN）基高亮度发光二极管（HB-LED）具有广泛用途，特别是因在固态照明方面的应用前景而迅速发展。虽然HB-LED已经商业化，但由于LED内量子效率（IQE）与光析出率（LEE）限制，制作高效HB-LED仍然困难。制约IQE提高的因素为GaN外延层与外延衬底之间存在较大的晶格失配度和热膨胀系数失配度，因而平面衬底上GaN外延层内存在108～1010cm-2的位错密度，致使LED的IQE不高。另外GaN层与空气的折射率相...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。