技术编号：11410695
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子技术领域，具体涉及一种高阶温度补偿带隙基准电路。背景技术带隙基准电路是许多模拟及数模混合电路系统的基本模块，其为模拟及数模混合电路系统提供稳定的参考电压，其性能特性直接影响模拟及数模混合电路系统的性能特性。图1给出了一种传统的一阶带隙基准，电阻R2与R3完全一样，NMOS晶体管M1与M2具有相同的宽长比，PNP型三极管Q2的发射极面积是PNP型三极管Q1的发射极面积的α倍。PNP型三极管Q1的发射极-基极电压VEB1随着温度增加而降低，电阻R2的两端电压其中k是玻耳兹曼常数，T是...
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