技术编号:11412646
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体生产技术,尤其涉及一种用于反应腔的屏蔽结构。背景技术在半导体生产领域中,进行PVD(PhysicalVaporDeposition,物理气相沉积)时,通常采用ICP(InductivelyCoupledPlasma,电感耦合等离子体)的方法在反应腔内激发高密度的等离子体,并由等离子体轰击溅射源,使得溅射源溅射出分子、原子或离子并沉积在基片上形成薄膜。通常,溅射粒子做无规则运动时也会轰击介质窗的内壁,此外,用于传输射频能量的放电线圈设置在腔室外与反应腔内的等离子体之间存在容性耦合,...
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