技术编号:11412649
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于液晶显示器或有机EL显示器等显示装置的薄膜晶体管(TFT)、以及具备该薄膜晶体管的显示装置。背景技术非晶(非晶质)氧化物半导体与通用的非晶硅(a-Si)相比,具有高载流子迁移率(也称为场效应迁移率。以下,有时仅称为“迁移率”。),光学带隙大,能够以低温成膜。因此,期待其面向要求大型、高分辨率、高速驱动的新一代显示器或耐热性低的树脂基板等的应用(专利文献1等)。氧化物半导体中,特别是铟、镓、锌、以及氧构成的非晶氧化物半导体(In-Ga-Zn-O、以下有时称作“IGZO”。)因具有非常...
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