技术编号:11412853
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于基于磁性隧道结(MTJ)的温度传感器的纳米磁性多层膜及其制造方法。背景技术本发明的核心元件是磁性隧道结(MTJ)器件,其核心结构为在两层铁磁性材料中间夹一层绝缘势垒层的三明治结构。在外磁场或钉扎作用下,两层铁磁层磁矩可处于平行或反平行状态,而且两种状态下磁性隧道结的电阻有很大的差别,即所谓的隧穿磁电阻(TMR)效应。磁性隧道结已经在磁场传感器和磁性随机存储器中得到应用。另外,在磁性隧道结中还观测到反平行态电阻随温度呈线性变化的现象,这种现象可以用来制作温度传感器。现有的温度传感器有...
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