技术编号：11412876
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。光电子半导体本体和用于制造光电子半导体本体的方法本申请是申请号为201280029480.3、申请日为2012年5月15日的同名称发明的分案申请。技术领域本发明涉及光电子半导体本体和用于制造光电子半导体本体的方法。背景技术光电子半导体本体通常具有带有适于产生电磁辐射的有源层的外延层序列。外延生长的半导体层的整体被称为外延层序列。这种外延层序列可以借助外延来淀积在衬底上。在此，在外延层序列和衬底之间可能出现机械张力。这种张力可能导致半导体本体的弯曲和/或导致外延层序列中的裂缝。这可能在非晶格适配的...
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