技术编号：11413528
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种扩展波长近红外探测器缓冲层的生长方法。背景技术在1～3μm的近红外波段，InGaAs、InAsP和InAlAs是非常重要的红外探测材料，与传统的HgCdTe材料和锑化物材料相比，它们具有较高的电子迁移率，良好的稳定性和抗辐照性能，并且具有更成熟的材料生长和器件制备工艺技术。以InGaAs为例，InGaAs器件在较高温度和强辐照下具有更优的性能，它的带隙可以在0.35～1.43eV之间变化，对应光谱波长范围0.88～3.6μm，已成功应用于空间遥感和红外成像...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。