技术编号：11431917
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种偏置电流产生电路。背景技术偏置电流是模拟集成电路中的一种重要参考源，是系统中不可缺少的一部分。传统的偏置电流产生电路如图1所示，包括：由第一PMOS晶体管P1、第一NMOS晶体管N1和第二NMOS晶体管N2构成的启动电路以及第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4和电阻R1构成的偏置电流电路；第一PMOS晶体管P1的源极接电源，栅极和漏极相连并与第一NMOS晶体管N1的漏极和第二NMOS晶体管N2...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。