技术编号：11432361
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。非分段GaNHEMT模型的建立方法技术领域本发明涉及电力电子技术领域，特别涉及一种非分段GaNHEMT模型的建立方法。背景技术硅基电力电子器件由于其材料特性的限制，已经逐渐无法满足如今电力电子领域对于半导体器件的高性能要求。基于此，以氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料应运而生，相比硅(Si)器件，GaN有更高的带宽、击穿电压和热导率，这些优异的特性使得氮化镓在高频率和高功率密度方面有着显著的优势。氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMT，GaNHighElectronMobilityTra...
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